造芯片，换一种材料行不行：第三代半导体与碳化硅【汽车芯片02】-造芯片，换一种材料行不行：第三代半导体与碳化硅【汽车芯片02】

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• 兔爷实验室:哈哈，这回终于可以纠正up错误了，三代半导体并不能取代硅mos，导通电阻远大于硅，100v硅的国产hy可以做到5毫欧。氮化镓基本都在100毫欧，氮化镓主打高压高温，耐压主打100v到1000v，硅主打100v以下。三代半导体宽禁带也是有致命缺点的，栅电压要很高，用这个做集成电路功耗会爆炸，所以只能整功率器件
• 果子卖麻花:[doge]半个多小时那么多播放量，有多少是在FAB值班摸鱼看的[吃瓜][吃瓜][吃瓜][吃瓜]
• anagamita:沒有人在用沙子製造半導體吧 實際都是用 「石英礦」
• 帅王898:好像一个健身教练在讲芯片技术，甚是奇怪。。。。。。
• 老三看器件:作为氮化镓行业从业者，我觉得从材料角度可以回答大部分人的疑问，第一氮化镓是异质外延，需要借助于其他衬底，而氮化镓同质外延成本高的离谱，如果这一块成本能做下来，氮化镓的市场要大的多。SIC属于同质外延，但是视频博主也重点提到目前缺陷问题也是比较大，目前氮化镓的异质外延的材料缺陷最好的也可以做到仅比SIC低一个数量级，而成本要低很多。如果真正的技术突破缺陷控制到与SIC一个级别，我相信是有机会在1700伏这个量级与SIC一较高下。第二缺陷在于热适配氮化镓散热确实差点，不过目前也有清晰的技术路线，通过剥离键合可以优化这一点，但是目前良率是个大问题。第三，高频是氮化镓的天然优势，频率上氮化镓随随便便都可以做到百K以上，这在电驱和电源上的应用优势太明显了，但是高频带来的散热问题和EMI在应用端确实比较难处理，RF射频类应用另说。总结，目前氮化镓把材料缺陷降下来，散热通过剥离键合处理好，未来高压市场也是可以试一下的，日本丰田不就在实验全车氮化镓的应用吗